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最近更新：2020-01-01
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海力士 · H26M42003JPR
海力士H26M42003JPR是一款16GB容量的eMMC 5.1存储芯片，采用自家72层3D NAND工艺，顺序读取速度约230MB/s，顺序写入速度约70MB/s。该芯片采用紧凑型153-ball封装，专为空间受限的智能穿戴、智能门锁及低成本IoT模块设计，功耗较上一代降低15%，是替换老旧小容量存储的经济之选。
极致性价比；低功耗；小尺寸；成熟工艺
SK海力士的eMMC芯片曾被用于火星探测器的辅助存储模块，通过了极端环境测试。
江波龙 · FEMDNN128G-5A
江波龙FORESEE FEMDNN128G-5A是一款128GB容量的eMMC 5.1存储芯片，采用原厂3D NAND颗粒，顺序读取速度可达260MB/s，顺序写入速度约100MB/s。该芯片支持HS400接口和智能缓存技术，针对大容量存储场景优化了随机读写性能，适合用于高端机顶盒、智能投影仪及工业平板，提供3年质保。
国产自主；大容量领先；工业级可靠性；完善售后
江波龙是全球少数同时拥有eMMC、UFS、SSD完整产品线的中国存储企业。
铠侠 · THGBMNG5D1LBAIL
铠侠THGBMNG5D1LBAIL是一款64GB容量的eMMC 5.1存储芯片，采用BiCS FLASH 3D NAND技术，顺序读取速度约240MB/s，顺序写入速度约80MB/s。该芯片提供153-ball FBGA封装，支持宽温工作范围，特别适合需要大容量存储的入门级笔记本电脑、教育平板及车载信息娱乐系统，是平衡成本与性能的优选方案。
原厂品质；高性价比；宽温适应；供货稳定
铠侠的前身东芝在1987年发明了NAND闪存，彻底改变了数字存储行业。
三星 · KLMBG2JETD-B041
三星KLMBG2JETD-B041是一款32GB容量的eMMC 5.1存储芯片，采用三星自家3D NAND闪存颗粒，支持HS400接口，顺序读取速度可达250MB/s，顺序写入速度约90MB/s。该芯片专为入门级智能手机、智能音箱、机顶盒等消费类电子设备设计，具备低功耗、抗震动、小尺寸封装等优势，是替代老旧eMMC 4.5方案的成熟选择。
高可靠性；广泛兼容性；成熟制程；低功耗设计
三星eMMC芯片全球累计出货量已超过50亿颗，相当于地球上每人拥有0.6颗。