电子束光刻掩模版
NTT-AT · NTT-AT EML-200
NTT-AT EML-200电子束光刻掩模版支持最小线宽60nm，边缘粗糙度低于4nm，采用高纯度石英基底和铝薄膜。产品经过特殊退火处理，具有优异的热稳定性，适用于高温工艺。尺寸为4英寸×4英寸，兼容主流电子束光刻机，特别适合光波导和微流控芯片制造。
品牌故事
日本技术传承；高均匀性；经济实用
科技原理 · 冷知识
该掩模版曾用于NTT实验室的光子集成电路原型，实现了低损耗光传输。
电子束光刻掩模版
暂无评测数据
切换同级分类：
评测维度与权重
综合评分 = 各维度评分按权重加权平均；点击维度可按该维度单独排序
- 质量最好权重 20%用料做工与品控最优
- 最实用权重 19%核心用途表现与场景适配最优
- 最耐用权重 16%使用寿命最优
- 设计最美观权重 14%外观与人体工学设计最优
- 品牌最佳权重 16%品牌口碑最优
- 性价比最高权重 16%同规格综合成本最优
排序：
该分类下暂无商品评测数据
好物百科
来自社区口碑与模糊测评的百科内容：品牌故事、科技原理冷知识、名人网红评价与网络热词
电子束光刻掩模版
品牌故事
科技原理 · 冷知识
电子束光刻掩模版
Vistec · Vistec EBPG5200
Vistec EBPG5200电子束光刻掩模版支持最小线宽25nm，边缘粗糙度低于1.5nm，采用合成石英基底和钼/硅多层膜。产品经过离子束抛光处理，缺陷密度低于0.05/cm²，适用于EUV光刻和量子计算芯片。兼容Vistec EBPG系列光刻机，并提供定制尺寸和薄膜材料选项。
品牌故事
英国精密工程；极端精度；前沿科技适配
科技原理 · 冷知识
该掩模版曾用于英国国家量子技术计划，助力实现量子比特阵列。
电子束光刻掩模版
JEOL · JEOL JBX-6300FS
JEOL JBX-6300FS电子束光刻掩模版专为高分辨率图形化设计，支持最小线宽40nm，边缘粗糙度低于2.5nm。采用高纯度石英基底和铬薄膜，经过精密电子束直写和湿法刻蚀工艺。产品具有优异的抗反射性能，适用于深紫外光刻和纳米压印模板制备，兼容JEOL JBX系列光刻机。
品牌故事
日本精密工艺；高性价比；科研适配性
科技原理 · 冷知识
该掩模版曾用于日本某大学的光子晶体研究，实现了可见光波段完美反射。
电子束光刻掩模版
Raith · Raith EML-150
Raith EML-150电子束光刻掩模版采用先进的多层薄膜技术，支持最小线宽30nm，边缘粗糙度低于2nm。基底为合成石英，具有极低热膨胀系数，适用于深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻。产品经过严格的质量控制，缺陷密度低于0.1/cm²，兼容主流电子束光刻机，如Raith VOYAGER和PIONEER系列。
品牌故事
德国精密制造；极致精度；工业级可靠性
科技原理 · 冷知识
该掩模版曾用于欧洲某光刻机原型测试，助力实现7nm工艺验证。
电子束光刻掩模版
中科科仪 · KY-EML-100
KY-EML-100电子束光刻掩模版专为纳米级图形化设计，采用高纯度石英基底和铬金属薄膜，支持最小线宽50nm。产品经过精密电子束直写和干法刻蚀工艺，确保边缘粗糙度低于3nm。适用于半导体器件、光子晶体和量子点等前沿研究，兼容主流电子束光刻机，如Raith和JEOL系统。
品牌故事
国产高端制造；纳米级精度；科研可靠性
科技原理 · 冷知识
该掩模版曾用于中科院某量子计算芯片的研发，助力实现单光子源控制。