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最近更新：2026-07-17
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索尔维（Solvay） · TMAH-25%
索尔维电子级显影液（TMAH，四甲基氢氧化铵）用于光刻胶显影工艺，浓度25%，金属离子含量低于1ppb。采用氮气保护包装，防止吸收二氧化碳变质。适用于正性光刻胶显影，显影对比度高，侧壁陡直。产品符合SEMI C13标准，兼容主流光刻机与涂胶显影设备。
高显影对比度；低金属污染；工艺窗口宽；全球技术支持
索尔维TMAH的碳酸根控制标准比行业平均低50%；该产品被用于英特尔先进封装产线
江化微（Jianghua Micro） · JH-UP 31%
江化微电子级过氧化氢（H₂O₂）用于半导体晶圆清洗、光刻胶剥离及蚀刻残留去除，浓度31%，金属离子含量低于0.5ppb。采用高密度聚乙烯（HDPE）瓶包装，内置防漏密封。适用于8英寸及以下晶圆产线，也可用于光伏硅片制绒工艺。产品通过ISO 9001及SEMI C8认证。
国产化；成本效益；稳定供应；快速响应
江化微是国内首家实现电子级H₂O₂量产的企业；该产品在光伏领域市占率超过30%
默克（Merck） · UP-HF 49%
默克电子级氢氟酸（HF）用于半导体硅片蚀刻、清洗及玻璃减薄工艺，浓度49%，金属杂质含量低于0.1ppb。采用特氟龙内衬容器包装，耐腐蚀且不引入污染。适用于8英寸/12英寸晶圆生产线，蚀刻速率均匀，可精确控制关键尺寸。产品通过SEMI C12标准认证。
超高纯度；蚀刻精度；工艺一致性；全球技术支持
默克HF的金属杂质控制标准比SEMI C12要求低一个数量级；该产品被用于台积电5nm制程的蚀刻步骤
巴斯夫（BASF） · EIPA-99.9%
巴斯夫电子级异丙醇（IPA）专为半导体晶圆清洗、电子元器件脱水干燥设计，纯度高达99.9%以上，金属离子含量低于1ppb。采用双层密封包装，有效防止二次污染。适用于光刻胶残留去除、颗粒物清洗等工艺，兼容主流清洗设备，可显著提升良品率。
极致纯度；工艺稳定性；全球供应链保障；技术支持完善
巴斯夫IPA的金属离子控制标准比行业平均严格10倍；该产品在华为海思产线中已连续使用超过5年