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最近更新：2026-07-09
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西部数据 · SDINDDH6-512G
西部数据512GB UFS 3.1芯片采用闪迪BiCS4 3D NAND技术，顺序读取速度1850MB/s，顺序写入950MB/s。支持iNAND智能写入加速技术，可优化小文件写入性能。内置断电保护电路（PLP），防止意外断电导致数据损坏。芯片通过IEC 60068环境可靠性认证，可承受1.5米跌落冲击，特别适合户外手持设备和车载记录仪。
数据安全；抗冲击设计；工业可靠性；长质保期
西部数据UFS芯片的断电保护电路可在2毫秒内完成数据转储，防止文件系统损坏。；该芯片通过了72小时盐雾测试，可在沿海高湿度环境下正常工作。
美光 · MTFC1TGAQAN-AIT
美光1TB UFS 3.1芯片采用176层3D NAND TLC架构，顺序读取速度2000MB/s，顺序写入1100MB/s。支持HPB（主机性能增强器）技术，可降低随机读取延迟30%。内置硬件级加密引擎，支持AES-256和TEE安全规范。该芯片通过JEDEC UFS 3.1标准认证，兼容高通、联发科等主流平台，特别适合需要大容量存储的影像旗舰手机。
超大容量；低延迟随机读取；硬件安全；平台兼容性
美光176层NAND的存储密度比上一代提升40%，1TB芯片面积仅相当于一枚邮票。；该芯片的HPB技术最初是为数据中心SSD开发的，首次下放到移动端。
铠侠 · THGJFGT1E45BAT0
铠侠256GB UFS 3.1芯片采用BiCS FLASH 3D TLC技术，顺序读取速度1900MB/s，顺序写入1000MB/s。支持Write Booster写入加速技术，在混合工作负载下性能提升20%。芯片尺寸仅11.5mm×13mm×1.0mm，适合紧凑型设备设计。内置高级错误校正码（ECC）和损耗均衡算法，理论寿命可达1.5PBW（256GB版本），满足5年以上持续写入需求。
高性价比；写入稳定性；紧凑尺寸；长寿命
铠侠的前身东芝在1987年发明了NAND闪存，该芯片是其技术传承的最新成果。；BiCS FLASH的命名源于'Bit Cost Scaling'，意为比特成本可扩展。
三星 · KLUFG8R1EM-B0C1
三星512GB UFS 3.1芯片采用第五代V-NAND技术，顺序读取速度高达2100MB/s，顺序写入速度1200MB/s，随机读写性能较UFS 2.1提升约40%。支持HS-G4规范，内置电源管理单元，待机功耗降低30%。该芯片通过AEC-Q100车规认证，可满足-40℃至105℃宽温工作环境，适用于高端手机、车载信息娱乐系统及工业级存储方案。
极致读写速度；车规级可靠性；低功耗设计；大容量密度
该芯片内部集成了超过100亿个存储单元，相当于每平方毫米容纳约2亿个晶体管。；三星UFS 3.1的随机读取速度比普通SATA SSD快5倍以上。